近几年，不论在学术界还是工业界，NVM都是比较前沿的技术。其实NVM一词并不新，是因为PM(或称SCM)这个与NVM有关的概念的出现，使得NVM这词又“火”了一把。在近年的相关文献中，NVM也经常被和PM(SCM)混用，让人搞不清。本文捋一捋它们之间的关系。

NVM

准确来说，NVM (non-volatile memory)指的是非易失的物理存储介质，比如NAND flash、PCM、3D XPoint等都算是NVM，这些NVM可以做成SSD形式，也可以做成PM (或称SCM)。

           NVM存储介质
               |
               V
           NAND Flash   ---+
                           |
    +--     PCM         ---+--> SSD
 +--+                      |
 |  +--    3D XPoint    ---+
 V
 PM 
(SCM)

NVM与SSD的关系

我们常见的SSD，不管是SATA接口还是PCIe接口，基本都是基于NAND Flash的；当然也有例外，Intel两年前推出的Optane SSD就基于3D XPoint而非NAND Flash。不管底层介质是Flash还是3D XPoint，这些介质广义上都是属于NVM的。它们都是存储设备，是块设备，是IO设备，除了性能，用户软件都可以将它们无差别地看成SSD。

NVM与PM (SCM)的关系

现在，PCM、3D XPoint等新型的NVM也被用于制作DIMM接口的内存条，被称为PM或SCM。

其实PM (persistent memory) 或者 SCM (storage class memory)基本为同义词，指的是内存DIMM接口的、可字节寻址的NVM设备。新型的NVM存储介质相对NAND Flash更容易做到细粒度读写，更适合做成可字节寻址(byte-addressable)的内存形式。并且，因为密度更大，基于新型NVM介质的PM可以做到DRAM内存条容量几倍；也由于新型NVM介质还不及DRAM的性能，PM的读写速度可能比DRAM内存条慢几倍。

NVDIMM又是什么？

“非易失内存条”其实并非近几年才出现，很久之前就有基于NAND Flash的非易失型内存条(一般被称为NVDIMM)，不过这种NVDIMM通常被做成“电池+Flash+DRAM”的形式：通电时，依然是依靠DRAM工作，断电时才用电池电量将DRAM数据刷回Flash。Flash无法直接代替DRAM是是因为Flash的读写粒度不一致，且存在写前擦除、拷贝等要求，不利于直接进行细粒度存取。这种设计就导致NVDIMM只可能比一般DRAM内存条更贵，且不可能做的比DRAM内存有更大容量密度。

总结

虽然容易有歧义，但近年依然有很多文献称基于PM或SCM为NVM。因此阅读文献时我们可以认为：狭义上，NVM可以指Flash、PCM等存储介质；广义上，NVM也可以指SCM、PM等存储设备，其实早年间，也有称SSD为NVM的。